Tranzisztor, más néven egy junction bipoláris tranzisztor, két back-to-back dióda PN junction egyenértékű. Előre elfogultság EB csomót lyukak beadni a kibocsátó régió, amely alatt a határ a lyuk, hogy elérje a kollektor és a CB fordított elfogultság junction akadály az intézkedés elektromos mező alapján a legtöbb eléri a kollektor régióban, a forma a collector aktuális IC. A közös-emitter tranzisztor áramkör indított a bázis áramkör a versenyzés, hogy elfogultság a feszültség csepp igazi kicsi.
500 ω collector ott a feszültségesés a terhelési ellenállás VRC-szerte = 10mA * 500 ω = 5V, tranzisztor feszültségesés között a kollektor és emitter a VCE = 5V, ha egy váltakozó talál egymásra a bias áramkör, kis jelenlegi IB, a kollektor kör jelenik meg a megfelelő váltakozó áram IC, c/IB = béta, a Tranzisztor-bipoláris tranzisztor #39; s jelenlegi erősítés valósul meg.
A kollektor a legtöbb elfogultság feszültség között a kibocsátó és a fordított elfogult kollektor bővítik. Mivel a VBE nagyon kicsi, így a jelenlegi alapja körülbelül IB = 5V / 50k ω = 0.1mA. Ha a tranzisztor #39; s kibocsátó aktuális erősítő együttható β = IC/IB = 100, collector aktuális IC = béta * IB = 10mA.