Két back-to-back dióda PN csomópont-csomópont bipoláris tranzisztor. Előre elfogultság EB csomót lyukak beadni a kibocsátó régió, CB-ban fordított elfogultság junction akadály collector terület, elektromos mező hatására a collector aktuális IC formájában. A kollektor a legtöbb elfogultság feszültség között a kibocsátó és a fordított elfogult kollektor bővítik.
Ha a tranzisztor #39; s kibocsátó aktuális erősítő együttható β = IC/IB = 100, collector aktuális IC = béta * IB = 10mA. Ha egy váltakozó talál egymásra a bias áramkör, kis jelenlegi IB, a kollektor kör jelenik meg a megfelelő váltakozó áram IC, c/IB = béta, a Tranzisztor-bipoláris tranzisztor #39; s jelenlegi erősítés valósul meg.